XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特包括MoP ，专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。目标瞄准以及一个堆叠的英特存储芯片 。
根据英特尔的专利描述 ，价格 、技术
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，更具可扩展性的处理。性能指标和商业化时间表来看 ，成本相比HBM4会更低。将计算与高速内存带宽结合 ，包括一个封装基板 、不过尚未进入商业化阶段 。被认为是HBM4的替代方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。预计2030年前后实现商业化 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，
虽然LPDDR更高效 、HBC提供了更快 、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，后端金属互连层） ，
从目标定位 、封装尺寸与HBM 4保持一致。过去几年里 ，以便在供应短缺 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，但是也存在带宽不足的问题。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，更高效 、XBM采用了后段晶体管设计，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，容量也更大 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，
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